半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した装置ラインナップ！
SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。
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基本情報
成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) カーボン成膜が可能 ・スパッタ 電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度までの熱処理が可能 ・酸化炉 酸化、熱処理
価格情報
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納期
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用途／実績例
半導体への成膜・熱処理では国内企業様、大学様に多くご利用頂いております。
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企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。
