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最終更新日:2023年07月19日

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大容量の試験を少ない消費電力で実現!実機搭載状態に近い条件で、波形の確認が可能

当装置はSiC半導体や、SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載 させる事なく、実環境に近い評価試験が可能となる装置です。 実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を 用いて波形の確認が可能となります。 また、回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現。 SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用もできます。 【特長】 ■SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載させる事なく、  実環境に近い評価試験が可能となる ■実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を  用いて波形の確認が可能 ■回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現 ■SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiC半導体評価用試験器

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【仕様例】 ■出力周波数:100kHz ■印加電圧:DC250V ■印加電流:DC150A ■入力仕様:三相AC200V 50/60Hz ■販売価格(税抜き):700万円 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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