化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。
2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています
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基本情報
◆赤外線LD 波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm) ◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL) 波長範囲(650nm, 850nm,) ◆RCLED(Resonant Cavity LED) 波長範囲(850~1100nm) ◆フォトディテクター(PD) 波長範囲(<870nm (GaAs吸収層)
価格帯
納期
用途／実績例
◆赤外線LD ◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL) ◆RCLED(Resonant Cavity LED) ◆フォトディテクター(PD)
企業情報
ロシア、韓国、中国の半導体の商品を紹介しています。
