内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です！
『シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール（SMCSM）』は、 プラズマシース端からシースを通ってシース底部（ターゲット表面）に 達するイオン、電子のエネルギー分布、角度分布等を計算します。 PIC-MCCM、PHMとも、計算時間がかかりますが、ターゲット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能です。 【特長】 ■PHMの計算結果（シース電位差等）を用いて、基板／ターゲット表面の イオンエネルギー分布等を計算する ■計算モデルは単純なため、計算時間がかからない ■内蔵のシースモデルを用いることにより、RF放電装置内の基板への イオンのエネルギー分布（IED）を簡単に推測可能 ■PHMの計算結果を用いれば、装置の電圧、ガス圧等のパラメータと IEDの関係などが評価できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【機能一覧（一部）】 ■応用分野：プラズマシース端からシースを通ってシース底部に達する電子およびイオンのエネルギー／角度分布 ■モデリング手法：Liebermanのシースモデル ■解析手法：モンテカルロ法 ■対象次元：1次元 ■ソルバー：ドライバー SMCSM／モジュール SMCSM ■GUI機能：付属のGUIMを使用（PNGファイル出力、印字出力、テキストデータ入出力、表示画面の任意拡大縮小） ■プレポスト：付属のGUIMを使用 ■解析規模：無制限（実際にはメモリー容量と計算時間で制限されます） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
真空／プラズマ／希薄気体及び、気体エレクトロニクス分野における物理現象を解析するソフトを自社開発／販売を志して独立した企業です。私どもでは創造力、開発力、技術力そして競争力を企業精神としております。
