真っ直ぐで、同じ焼結密度を持った試料棒の焼結を容易かつ安定に、作製することが可能!
光学式浮遊帯域溶融装置による単結晶育成は、融体を試料棒自身に 保持させながら試料の融解、凝固を継続させる方法である為、試料棒の 作製が第一の重要な作業になっております。 当製品は、試料回転昇降装置と縦型環状炉で構成され、真っ直ぐで、同じ 焼結密度を持った試料棒の焼結を容易かつ安定に、作製することが可能です。 さらに、遅送り機能を付加し、上記回転昇降機能の他にブリッジマン法 結晶育成用としても使用することが出来ます。 【特長】 ■真っ直ぐで同じ焼結密度をもった、特にFZ法に適した 焼結原料棒が効率よく作製できる ■設定の容易さや操作性に優れたタッチパネルを採用 ■駆動系に遅送り機能を付加したことにより、ブリッジマン炉 としても使用が可能 ■発熱体には、MoSi2を使用しており最高温度は1800℃ ■炉内には1系統の雰囲気ガスをフローすることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様(抜粋)】 ■最高到達温度:1800℃ ■常用使用温度:1700℃ ■ヒーター ・MoSi2:6本 ・サイズ:200×200×6×3×25(mm) ■試料室形状 ・縦型管状炉:φ60×900(mm) ・下部水冷ジャケット ■保温材:アルミナ、特殊セラミック ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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株式会社クリスタルシステムは、原料棒に赤外線を照射して融解し、 浮遊帯域溶融法によって高品質クリスタルを製造する他社に類のない 四楕円鏡を使用した単結晶製造装置を開発しました。 これからもお客様の多様なニーズに合わせて、 常に時代を先取りした 製品を提供してまいります。