容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉です
『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。 ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが 可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。 また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ■PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【仕様(一部)】 ■炉構造：石英管式炉体移動型 ■最高温度：1300℃ ■常用温度：1200℃ ■温度分布1200±2℃程度 約200Lmm ■ゾーン数：6ゾーン ■移動速度 ・低速：0.1～10mm/h. ・高速：3～300mm/min. ・移動距離：1650mm ■炉芯管内径：石英管φ200mm 6インチ用 ■雰囲気：自動真空置換式 Arガス ■真空ポンプ：ロータリーポンプ など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
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企業情報
当社は、化合物半導体、電子材料用の研究開発者向けの特殊な結晶合成や 熱処理向けの炉メーカーとして、従来の垂直型組織を打破し、 迅速に顧客の要望に応えられるフットワークの軽い会社です。 当社の材料の知見と多くの経験に基づいた企画を提案して、 真に顧客の求める炉を製作してまいります。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。
