GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E01-MR」の構造解析・プロセス解析！
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポートでは構造解析の結果に基づいてチップ製造プロセスの 推定を行っています。 【レポート内容】 ■構造解析レポート ・パッケージ外観、X線観察、チップ平面解析(配線接続、レイアウト確認)、 チップ断面解析(GaNトランジスタ、チップ端部)、GaN-Epi層TEM-EDX分析 ・電気特性測定(Id-Vd、BVdss、容量特性) ■プロセス解析レポート ・製造プロセスフロー抽出・推定、マスク枚数、プロセス・シーケンス断面図 ・電気特性と素子構造の関連解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【Table of Contents】 ■構造解析レポート 1．デバイスサマリー 2．解析結果まとめ 3．パッケージ 4．平面構造解析 5．断面SEM構造解析 6．断面TEM構造解析 7．TEM-EDX分析 8．電気特性評価 ■プロセス解析レポート 1．GaN Systems GaN HEMT(GS61008T-E01-MR) 2．GS61008T-E01-MR解析結果まとめ 3．プロセスフロー 4．電気特性解析 5．関連文献目録 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。