製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を明確にします
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic) ■PKG観察、X線観察、チップ観察 ■チップ平面観察 ■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析 ■GaNエピ層TEM-EDX材料分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【Table of Contents】 1．デバイスサマリー(表1) 2．パッケージ 3．チップ平面解析 4．平面観察 5．断面構造解析(SEM) 6．TEM構造解析 7．電気特性評価：ON抵抗解析 8．付録解析：GaN HEMT EDX分析データ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。
