高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【その他特長】 ■同時になしえるウエハー当たりのダイ収量増加 ■高耐圧特性能力 ■カスタマイズされたトレンチパターン ■完全なデバイス隔離 ■従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進 ■従来のDI技術と比べ低い欠陥密度 ■バルクより低い基板キャパシタンス ■EPIによるトレンチ隔離より安いコスト ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■MEMS デバイス ■ソリッドステートリレー光電発電機 ■太陽光発電セルと光電子デバイス・IC ■テレコム用の高耐圧アナログIC ■高パフォーマンスバイポーラ回路 ■スマートパワーIC ■集積センサー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。