CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤
アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■ビア（貫通）のアスペクト比：<15：1 ■ウエハー直径：100mm＆150mm ■ウエハー厚さ：300-525μm ■最大の直径：40μm（最小サイドにおいて） ■最小ピッチ：90μm（ビア幅の3倍） ■ポリ抵抗率：<5mΩ-cm ■隔離抵抗値：オキサイドライナーによる（デザインによる依存性） ■酸化膜厚：0.2-2μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■MEMS/MST向けSOIソリューション ■マイクロ流体力学/フローセンサー ■RF MEMS ■光エレクトロニクス ■スマートパワー ■高度なアナログICs ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。