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4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」

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MB85RQ4ML

最終更新日:2024年06月07日

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
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ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」

本製品は、1.8V単一電源で動作し、4本の入出力ピンをもつクワッドSPIインターフェースを採用することで、54Mバイト/秒のデータ転送速度を実現しています。 この高速動作と不揮発性メモリの特長により、ネットワーキング、RAIDコントローラ、産業用コンピューティング分野での使用に最適です。 ■主な仕様 ・製品名: MB85RQ4ML ・メモリ容量(構成): 4Mビット(512K x 8ビット) ・インターフェース: SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧: 1.7V~1.95V (単一電源) ・書込み/読出し保証回数: 10兆回 ・データ保持特性: 10年(+85℃) ・パッケージ: 16ピンSOP

    メモリ
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4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」

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  • 関連リンク - https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/documents/pro…
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/fujitsu-group-fsm/produc…

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基本情報

不揮発性RAMのインターフェースに対する高速化の要求の高まりに応えて、当社のFeRAM製品群では最速のデータ転送速度をもつ4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」

価格帯

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納期

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用途/実績例

ビッグデータをあつかうIoT市場では、データ処理量が増加しており、メモリには頻繁なデータ書換えが要求されます。また、セキュリティの観点からもアクセス履歴の保存が重要視されつつあります。このような背景に対して、本製品はネットワークキング分野のアクセス情報を保護するメモリとして、機器の性能向上に貢献します。

詳細情報

  • 1.jpeg

    本製品は、1.8V単一電源、クワッドSPIインターフェースを採用しており、108MHz動作によって54Mバイト/秒でのデータ転送が可能です。当社の従来品では、16ビットの入出力ピンをもつ44ピンのパラレルインターフェースの4MビットFeRAMが一番速い13Mバイト/秒でしたが、本製品は少ないピン数でその約4倍の速度でデータのリード/ライトが可能です

  • 3.jpeg

    MB85RQ4MLは、連続的に設定データを書換えするルータなどのネットワーク機器に最適です。データを保存する大容量の不揮発性メモリと、高速のワークメモリの中間に位置して、高速アクセスでのデータ書換えとデータのバックアップをサポートします。

カタログ(2)

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強誘電体メモリ「FeRAM商談事例」 ※使われているアプリケーションなどを紹介!

強誘電体メモリ「FeRAM商談事例」 ※使われているアプリケーションなどを紹介!

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強誘電体メモリ「FeRAMの基礎編」 ※FeRAMとはなどを解説!

強誘電体メモリ「FeRAMの基礎編」 ※FeRAMとはなどを解説!

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企業情報

RAMXEED株式会社

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)

電子部品・半導体

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当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

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