高い電気絶縁性!半導体デバイスの性能向上を実現するめっき技術のご紹介をいたします
当社の『セラミックスへのめっき』は、高い電気絶縁性を持ち、 放熱性に優れています。 回路形成工法が、回路表面がフラットであり表面実装性に優れている 「サブトラクティブ法」と、銅パターンの狭ピッチ化が可能な 「セミアディティブ法」の2種類あります。 貫通穴へのめっきもでき、アルミナ、ジルコニア、酸化亜鉛などの 素材に対応可能です。 【特長】 ■高い電気絶縁性 ■高熱伝導率 ■放熱性に優れる ■低熱膨張率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【回路形成工法】 ■サブトラクティブ法 素材→シード層形成→電気めっき→レジスト形成→エッチング→レジスト除去 ■セミアディティブ法 素材→シード層形成→レジスト形成→電気めっき→レジスト除去→シード層除去 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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1946年の創立以来、技術開発の研鑚と革新を重ね、持続的に時代や市場の激しい変化を予測しながら、表面処理における最先端のニーズに応え続けています。とくに、要求機能の付加を基本に、密着性、耐食性、精度など高度な技術と品質が 要求される 「電気めっき」「無電解めっき」を中心としためっき加工における技術・管理水準は業界でもトップレベルとしてカスタマーから高い評価と信頼を得ています。 ※2024年4月1日に「ヱビナ電化工業(株)」より社名変更しました