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Preciseシリーズ

最終更新日:2025年07月08日

株式会社イー・スクエア
株式会社イー・スクエア
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大気圧プラズマ装置の「処理形態」や"当社独自の装置特長"などについてプラズマ装置の基礎から紹介!技術資料進呈

ここではコロナ処理や、アーク等を用いた装置ではなく、 完全なるバルクプラズマを発生させた大気圧プラズマ装置を主体に置き、説明しております。 特殊電極構造を用い、窒素ガス・希ガス等をベースに高周波電力を電極に印可し、 高密度プラズマを発生させることによりが生成された高密度の活性種が ワーク表面に官能基や水酸基、アミン基を付与し、 濡れ性や、塗布性能、有機物除去等の処理が可能になります。 添加ガスを変えることにより、選択的に付与される分子を生成され、 撥水化、還元等、薄膜体積、ドライエッチング等の処理が可能になります。 また、洗浄工程や、メッキ処理時前にプラズマ処理を行うことで、 処理表面を活性化し薬液との反応性を高め洗浄性能の向上や 気泡の除去等に役立ちます。 処理に関してワークの性格や、次工程への状況を踏まえ、 下記に纏める大気圧プラズマ装置選定時の最適化のご参考になれば幸いです。 また、接着材を用いない接着剤レス接着に関して、  銅箔との分子結合を主体とした接着技術が伝送ロスを低減し、 5G、6G向けのFCCL等の製造に寄与できるものと考えます。

    プラズマ表面処理装置
スクリーンショット

今さら聞けない大気圧プラズマ装置の選び方 ※解説資料進呈

スクリーンショット 2025-07-08 160230.png
スクリーンショット 2025-07-08 160230.png
  • 関連リンク - http://www.e2-square.co.jp/
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/e2-square/product/

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基本情報

【当社独自の装置特長(ダウンストリーム型)】 ■幅広、長尺物への均一処理(100ミリ~3000ミリ) ■半導体チップ上の処理も可能(処理後のトランジスタ特性変化なし) ■4nmのL&Sでも絶縁破壊等の発生が無い ■ワーク内部の分子間架橋特性変化や分子切断の影響やダメージ発生がない ■Particle発生が無い(0.3μ以上及び2.83SLMのサンプリング時) ■窒素消費が少ない(従来比45%削減) ■処理後のワークへの帯電はほぼゼロ 【当社大気圧プラズマ装置】 ■ダウンストリーム型:Precise シリーズ ■プラナー型:Precise Pシリーズ ■スポット型:Precise Sシリーズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格情報

装置価格は処理幅(プラズマ幅)で変わりますので、サイズをご指定下さい。 卓上式実験装置製作 サンプルワーク実施中

納期

詳細はお問い合わせください

用途/実績例

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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プラズマ表面処理装置「AP Plasma Precise II」

プラズマ表面処理装置「AP Plasma Precise II」

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今さら聞けない大気圧プラズマ装置の選び方 ver:2

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株式会社イー・スクエア

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販売実績で培った装置信頼性と種々のノウハウを用い、その優位性をプロセスアプリケーションと共に他市場(蓄電池市場・粒子その他)へもドライプロセスを用いた新たなアプローチを展開しております。 弊社ダウンストリーム型高密度プラズマソース(電極)処理部分はワークと隔離されいるため、ワークへの電気的・物理的ダメージの発生が無く、プラズマ生成時の紫外光がもたらす影響もなく、大気圧プラズマ装置で唯一のクリーン処理(パーティクルレス)が可能です。 添加ガスの変更により、選択的に分子機能性付与をプロセス技術として各種表面材質に応じた界面制御が可能で、ダイレクト接着や異種材接着、より強固な塗膜との密着性に有効な手段です。処理幅(プラズマ幅は100mm~3000mmに均一な処理が可能。 炭素繊維束や繊維束状の対応も可能で、束内部まで均一処理が可能。また、粒子への同処理も対応しております。  ダウンストリーム型の卓上式の実験装置の製造、スポット型装置(250万円~)、立ち合い実験サンプルワークも実施しております。

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