システムコストの削減！手間をかけずに従来の設計から新技術にアップグレード可能
ドライブ、トラクション、トランスミッションなどの産業用 アプリケーションの現在および将来の要件に対応するため、 定評ある「IHV-B 3.3kVシングルスイッチIGBTモジュール」が 大幅に改善されました。 TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載。 過負荷や故障に対する比類ない堅牢性を有し、フレームサイズの 小型化が可能です。 【特長】 ■標準化されたIHV Bパッケージ190mmまたは130mm ■最高クラスの短絡耐量 ■新しい3.3kV IGBT4チップを8インチウェハ技術で実現 ■基板レイアウトとチップ面積の最適化 ■競合製品やIGBT3に比べ、電源のOn/Off制御が2倍向上 ■CTI > 600のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【ラインアップ】 ■FZ2400R33HE4 ・1800Aの競合デバイスに比べ、同じパッケージで、45%の性能向上を実現 ■FZ825R33HE4D ・ダイオード容量が増え、インフィニオンや競合メーカーの1000Aデバイスと同じ性能 ■FZ1600R33HE4 ・1500Aの競合デバイスと比較して、30%の小型化と10%の性能向上を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
