20年間のノウハウによるパワーデバイスの実装に欠かせない無電解めっき技術！
当社は、半導体ウエハAl電極に無電解NiP/Auめっきを行っており、車載向けの パワー半導体をメインとしております。 お客様からの要求事項を満足する為に、独自のめっき用カセットと循環機構を 設計しウエハ面内均一性向上に取り組んでおります。 また、膜厚分布が均一化する事で、Ni中に含まれるP含有量のチップ間差異を 小さくし半田実装時のNi喰われ量バラツキも軽減可能です。 【特長】 ■均一な膜厚分布を実現する独自の治具、装置 ■半田実装時のNi喰われ量バラツキも軽減可能 ■12インチ対応の大型設備 ■高温実装/高耐熱性に適しためっき ■パワーデバイスに向けた無電解銅めっき ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【対応基材】 ■素材：Si、SiC、GaO、GaNなどのパワー半導体 ■Al系電極：純Al、AlSi、AlSiCu、AlCu ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■車載、家電向けパワーデバイス ■センサーデバイス ■MEMS向けASICデバイスなど ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社独自のナノめっき技術による製品の小型化で、省資源、省エネ化を進め地球環境を守り、 何百億個の部品でも1個の不良も出さず、世の中に安全安心を提供していくことができます。 この理念は時代が変わろうが、企業が続く限り永遠に受け継がれるものです。 清川メッキはいつの時代もお客様に必要とされ満足し、感動して頂ける技術を提供し続けていきます。