安全、低温成膜、不純物を含まない硫化技術を開発(硫黄プラズマ)、同手法でn型SnS薄膜とそれを用いた太陽電池を開発
SnS(硫化スズ)を用いた薄膜太陽電池は以下特徴がある ・ Cd、Teのような有害元素を含まない ・ 安価な元素(Sn及びS)のみで構成される (原料コストはシリコン系の1/7、CdTeの1/2、CIGSの1/14) ・ 2-3μmの厚さで光吸収が可能(シリコン系~500μm) ・ ホモp-n接合で変換効率25.3%が実現できると報告されている しかしながら高効率のホモp-n接合を有するSnS太陽電池を実現する ためには、技術的に作製出来なかったn型のSnS薄膜の実現が必要であった。 本発明は今まで作製出来なかったn型SnS薄膜を硫黄プラズマを用いた 新規硫化技術を用いて世界で初めて実現した。このn型SnS薄膜を用いる ことで今後ホモ接合のSnS太陽電池を実現することが期待される。
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