MBE成膜機構や表面熱分析機構、RHRRD結晶構造解析システムなどで構成されています！
当製品は、「MBE法」と「表面熱分解法」を併用したグラフェン結晶薄膜 成長機構とRHEED/LEED表面分析機構を連結したinsituシステムです。 6H-SiC微傾斜([1-100]4°off]基板の(0001)面(Si面)を用いて、 グラフェンの成長を行った際、回折パターンよりグラフェンの形成を 確認。 また、顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。 【構成】 ■「グラフェン薄膜成長用高温Kセル」を備えたMBE成膜機構 ■「SiC基板を熱分解する加熱ホルダー」による表面熱分析機構 ■RHRRD結晶構造解析システム ■LEED表面観察システム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【結晶成長したグラフェン評価 成長条件】 ■温度：1800℃(パイロメータ) ■時間：10分 ■雰囲気：高純度アルゴンガス(360sccm)大気圧 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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用途／実績例
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