『PGS model』は低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能なスパッタ装置です。
『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【技術詳細(一部)】 ■プラズマガス導入の位置：スパッタカソード ■プラズマ密度：高い ■基板～ターゲット距離：150～200mm ■平均自由行程：長い ■基板のプラズマダメージ：少ない など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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