TOF-SIMSで金属界面の有機物を深さ方向に評価できます
金属界面の有機物は密着不良や剥がれの原因となります。その密着不良の分析には、物理的に剥離加工を行い、剥離した面について定性分析を行うことが有効です。（参照：分析事例C0198）。一方、剥離加工ができない場合も多く、その場合にはスパッタイオン源を用いて深さ方向に分析をすることが有効です。 本資料では、金属界面における薄膜もしくは二次汚染程度の有機物を深さ方向に定性分析した事例を紹介します。結論としてC系のイオンを確認することで有機物の存在を確認することができました。 また、成分がわかっている標準品と比較することで有機物を同定できる場合もあります。
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下記分野の分析です。 ・酸化物半導体 ・パワーデバイス ・光デバイス ・LSI・メモリ ・電子部品 ・製造装置・部品
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