光励起半導体レーザ(OPSL)技術を採用！好適なレーザソリューションをご提供
『Sapphireシリーズ』は、小型連続発振 光励起半導体レーザ(OPSL)です。 固体レーザとして注目されている光励起半導体(OPSL)技術を採用する により、発振波長の柔軟性および高出力化を可能にし、汎用性の高い レーザポートフォリオを実現。 優れたパフォーマンスと信頼性を備えており、ライフサイエンス、科学捜査、 環境保護および計測用途に好適なレーザソリューションをご提供します。 【特長】 ■光励起半導体(OPSL)技術を採用 ■発振波長の柔軟性および高出力化を可能 ■汎用性の高いレーザポートフォリオを実現 ■優れたパフォーマンスと信頼性 ※詳しくは、関連リンクURLをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【ラインアップ】 ■ Sapphire LP/LPX （横シングルモード） ■ Sapphire FP （ファイバー出力モデル） ■ Sapphire SF NX （縦単一周波数発振モデル） ■ Sapphire XT （中出力 1W) ■ CDRHコントローラ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報
※ お問い合わせください。
価格帯
100万円 ~ 500万円
納期
~ 1ヶ月
用途／実績例
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詳細情報
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光励起半導体レーザ( Optically Pumped Semiconductor Laser)とは、VECSEL Vertical External Cavity Surface Emitting Laser ）と呼ばれ、通常電気で駆動する半導体レーザと異なる特長を持ち、レーザ 発振を光（フォトン）で励起することにより実現されています。 図のように、励起媒体にはCoherent Corpが、開発製造するInGaAs系量子井戸式半導体レーザを用い、励起用高出力長寿命 InGaAsP 系半導体チップ全体に照射し、縦励起する手法〔面発光〕を用いている。面発光レーザとの違いは出力ミラーを配置し、共振器を組 んでいる点であり、このことにより空間モードに優れた理想ビームを得ることができる。半導体チップは希望の基本波長が発振する材料の配合により設計、選択されている。更には、共振器内に配置された 非線形結晶による波長変換により、UV、可視光（ブルー～オレンジ）の発振を実現している。
ラインアップ（3）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| Sapphire LP / LPX | 発振波長 458, 488, 514, 532, 552, 561, 568 588, 594nm , 最大出力 500mWまで |
| Sapphire SF NX | 発振波長: 488, 532 nm （単一周波数発振：SF) , 最大出力 200mWまで |
| Sapphire XT | 発振波長: 488 nm, 532 nm, 561 nm , 最大出力 1W |
カタログ（6）
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企業情報
Coherentは、フォトニクス分野でグローバルに事業を展開する企業です。 光に関する幅広い技術と製品を通じて、データセンター、通信、産業分野など、さまざまな市場のお客さまの技術革新と成長を支えています。 1971年の創業以来、世界20カ国以上で事業を展開。幅広い技術基盤、グローバルな供給体制、世界各地の事業拠点を活かし、お客さまのさまざまな技術課題の解決に取り組んでいます。 お客さまのケースにあわせて、製品選定のお手伝いをいたします。 お気軽にお問合せください。
