モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現！
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ■MOSFET モジュールとはハーネスで接続 ■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■出力ゲートピーク電流 +/-30A(max) ■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) 【仕様】 ＜VLB512-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大10W ■基板サイズ：90×145mm ＜VLB519-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大3.75W ■基板サイズ：80×130mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【ターゲット SiCMOSFET モジュール】 FMF600DXZ-24B/FMF800DXZ-24B FMF1200DXZ-24B/FMF300DXZ-34B FMF300BXZ-24B/FMF400BXZ-24B FMF400DY-24B etc. ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
イサハヤ電子は、1973年から小信号トランジスタの生産を開始し、培ってきた半導体技術をゲートドライバやDC/DCコンバータの設計技術へと進化させてきました。 近年では更に、カーボンニュートラルの一翼を担うべく、高効率、高力率の電源技術開発に力を入れております。 （三相PFC、1500V入力対応DC/DCコンバータ、双方向コンバータ等） 一方、多様なニーズに応えるべく、小信号トランジスタも高機能化、複合化と進化を遂げ、高耐圧・大電流トランジスタ、MOSFET、アナログICのラインアップを拡大しております。