低温・ 温度制御が容易・大きい成長速度でAlN種晶を作製可能
深紫外発光素子(DUV-LED)はAlGaN系窒化物半導体から作製される。そのAlGaN系DUV-LEDの基板材料には、AlGaNとの高い格子整合性、AlGaNよりも広いバンドギャップ、および高い熱伝導率が求められ、それらの条件を満たす窒化アルミニウム（AlN）が注目されている。 AlN単結晶作製の従来法として昇華法があるが、高温を必要とするためコストが高く、また温度制御が難しいという課題がある。 本技術を用いれば、低温かつ温度制御が容易な条件で、比較的大きい速度で単結晶のAlN種晶を作製することができる。 また本技術は、同発明者らによるAlN単結晶の液相成長法と組み合わせることで、本技術で作製した種晶上に、AlN結晶を成長させることで、AlNバルク材料を作製することが期待される。
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