B無添加・低温熱処理・スパッタ製膜でTMR比200%以上
トンネル磁気抵抗(TMR)効果を示すTMR素子は、磁気センサや不揮発性メモリ等の製品に応用されている。素子抵抗の変化率を表すTMR比は素子性能指標の一つであり、それら応用製品の仕様を左右する重要な特性である。アモルファスFeCoB磁性合金とMgOトンネルバリアを用いたTMR素子は現在主流の材料系で、大量生産に適したスパッタリング法で作製できる。素子を熱処理した際にBが拡散することでFeCo／MgO結晶素子となり、200～600%のTMR比を示す優れた材料である。しかし、熱処理によって拡散したBは、FeCoに隣接する他の層の機能性を低下する要因にもなる。本発明は、Bを添加せずとも、低温熱処理でFeCoBと同程度のTMR比を発現するCo系磁性不規則合金の技術を提供する。
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