最大40GHz 最大50W (5A/1000V) の電力ハンドリングを実現 RFハイパワーデバイスの正確な測定が可能です
○最新の高周波技術とメカニカル性能を融合 ○パワーハンドリングに優れた特殊材料を採用 ○GaN（窒化ガリウム）およびSiC（炭化ケイ素）を代表とする様々なハイパワーデバイスの特性評価に適した設計 ○堅牢なプローブ先端 ○均一な平坦度と安定的なコンタクト
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基本情報
-周波数：最大40GHz -耐電力：500W(1GHz)/ 200W(10GHz)/100W(40GHz) -耐電流：10A -耐電圧：500V ・プローブ先端サイズをデバイスパッドサイズに合わせて最適化することに加え、高精度な平坦度を保証し、優れたバネ性を有することで、プローブとデバイスの安定的なコンタクトを実現します。 ・この堅牢なプローブ先端は優れたインピーダンス特性も有し、高い周波数帯での測定を可能としています。デバイスの正確な測定を保証するため、専用の校正基板を使用してプローブを正確に校正することができます。
価格情報
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用途／実績例
ハイパワーデバイス測定
企業情報
1991年の創業以来、当社のプローブは開発・量産の用途として国内外多くの企業様、研究機関様に採用頂いております。国内生産・短納期にて、お客様の様々なご要望にお応えするべく、プローブデザイナー・シミュレーションエンジニア・メカニカルエンジニア・測定エンジニアがプローブや校正基板の設計・製造・測定を行います。 標準品・カスタム製品・開発品、その他、今世の中にない物等、ご要望をお待ちしております。