高い時間的および空間的分解能で電磁パルスを安全上重要な回路に注入するよう設計
製品のハイライト - 干渉パルス生成用の最高電圧は最大 1000 V - 25 ns 以内に 2 つの干渉パルスを連続して発生 - コイル径が250 µm（モデルによる） のプローブ チップ
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基本情報
ハードウェア障害注入は、セキュリティ保護されたシステムをクラックするための確立された潜在的に危険な方法として知られています。電磁障害注入 (EMFI) では、妨害されるシステムが局所的に磁場パルスにさらされ、デバイスの物理的な混乱や論理エラーにつながる可能性があります。通常、めったに発生しない脆弱性を悪用するソフトウェア攻撃とは異なり、ハードウェア攻撃はこれらの脆弱性とは独立して発生するため、より多くのターゲットに対して成功する可能性があります。 新しいパルス プローブの重要な機能の 1 つは、妨害パルスを生成するために使用される拡張された電圧範囲です。最大 1000 V (妨害電力が大幅に増加) により、新しい脆弱性を見つけることができます。 2 つ目の重要な機能は、最小 25 ns 以内に 2 つの妨害パルスを放出できることです。これにより、単一の妨害イベントに対して強化されたシステムへの攻撃を成功させることができます。 Langer EMV-Technik の ICI-DP プローブは、最高のパルス電力を提供し、詳細な分析とデバイスの堅牢な保護を可能にします。
価格帯
納期
用途／実績例
- 電磁障害注入 (EMFI) - EM パルス結合 - IC セキュリティ / 組み込みセキュリティ - ダブル パルス シーケンスによる高度な攻撃が可能
ラインアップ（3）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| ICI-DP HH1000-15 | プローブヘッド寸法： 直径1000µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
| ICI-DP HH500-15 | プローブヘッド寸法 直径500µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
| ICI-DP HH250-15 | プローブヘッド寸法 直径250µm 立上り時間： 2ナノ秒 最小ダブルパルスシーケンス時間： 25ナノ秒（200V） 極性（ソフトウェアで設定）： +/- 電圧： 50-1000V 最大ジッタ（標準）： ±1ナノ秒 最小トリガーパルス遅延： 35ナノ秒 |
カタログ（3）
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企業情報
EMC試験・汎用計測におけるユニークで新しいソリューションを提供する企業として、ウェーブクレスト株式会社は活動しています。高度化する電子・通信環境はその製品の性能ばかりでなく社会全体の安全性をも左右する社会インフラとして、高い安全性、信頼性が求められています。従来の試験方法や機器にとらわれずマーケットが必要とする新しい製品やソリューションを提供していきたいと考えます。