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BGMC1210 - GaNおよびLDMOSドハティPA用バイアス、制御IC

最終更新日:2025年02月04日

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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PAの高速TDD動作用のクランピング スイッチと、電源電圧とドレイン電流を測定するためのADCを内蔵!

当製品は、ドハティPA用に最適化されており、PAごとに4つのDAC出力で、 最大2つのPAにバイアス供給しますが、どのようなPA構成でも使用可能です。 DACの分解能は12ビットで、電流駆動能力はソース50 mA、シンク20 mA。 DACは、独立した電源を持つ2つのグループで構成されており、LDMOSおよび GaNトランジスタにバイアス供給するために、正と負の電源電圧で動作させる ことができます。 さらに、PAの高速TDD動作用のクランピングスイッチと、電源電圧とドレイン 電流を測定するためのADCを内蔵しています。 【主な特長】 ■12ビット分解能のDACを8個搭載 ■2電流シャントADC, 1電圧ADC ■Vout 範囲:-7…0 / 0…7 V ■温度センサー内蔵 ■制御インターフェース:I2C & I3C ■パッケージ:VQFN-32(5x5 mm2) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーアンプ(PA)用のバイアス制御IC1.PNG

パワーアンプ(PA)用のバイアス制御IC

パワーアンプ(PA)用のバイアス制御IC1.PNG
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基本情報

【主な利点】 ■TX2チャンネル向けドハティPA用バイアス&コントロールチップ:10x10mm2の代わりに5x5mm2の小型パッケージ  (クランピングスイッチなど)をPAモジュール間に直接配置できる ■外付けスイッチや温度センサーは不要 ■GaNおよびLDMOS PA用の正負出力範囲:すべての帯域と周波数で同じ製品を使用できるため、  ソーシングが簡素化できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

価格帯

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用途/実績例

【対象アプリケーション】 ■5G マッシブMIMO ■スモールセル ■基地局 ■分散型アンテナシステム(DAS) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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