HAXPESは、XPS(X線光電子分光)の励起光に硬X線を用いた分析手法です。
HX-PES、HXPESとも呼ばれます。 高エネルギーなX線励起により通常のXPSよりも数~約10倍深い、50nm程度までのバルク状態評価、ダメージレスな界面の結合状態評価を行うことができます。 この装置はGaKα線源(9.25keV)を搭載した実験室機のため、試料作製から測定までのタイムラグを短縮可能です。 ・バルク敏感(~50nm程度)な状態評価 ・非破壊での埋もれた界面の結合状態評価 ・深い内殻軌道を用いた評価(XPSで重畳するオージェピークの回避、分裂のない1s軌道を用いた解析) GCIB(Gas Cluster Ion Beam)によるスパッタを併用した測定や角度分解測定、Al線源(1.49keV)、中和銃、大気非暴露測定などのオプションも備えています。 ・GCIBによるダメージレスなスパッタクリーニング※デプスプロファイルは原則不可 ・Al線源や角度分解測定を用いた結合状態の深さ方向比較 ・大気非暴露下での評価
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用途/実績例
・リチウムイオン電池Si系負極材、正極金属酸化物のバルク状態評価 ・ゲート絶縁膜、キャパシタ材料の界面状態評価 ・金属腐食表面の深さ方向状態変化 ・コアシェル型ナノ粒子の結合状態評価 ・有機物のバルク状態評価
企業情報
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