半導体や電子部品が静電気によるストレスを受けた際の影響、破壊耐量を評価します。
・MM（Machine Model）試験：金属等に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験 ・HBM（Human Body Model）試験：人体に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験 ・CDM（Charged Device Model）試験：帯電によって電位の異なる導体と端子の接触時に発生する静電気の放電による損傷を模した試験 ・ラッチアップ試験※：寄生サイリスタ構造を持つデバイスにおいて、過大な電流が流れ続ける現象 （ラッチアップ現象）に対する耐性を評価 ※パルス電流注入法、電源過電圧法に対応
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