赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能！
当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ：10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気：高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温～1,400℃(試料ステージ温度) ・室温～約1,150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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【その他の特長】 ■赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能 ■SiCステージにより、赤外線を吸収しない試料でも対応可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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当社は、受託分析サービスを展開している会社です。 2002年8月の創立以来、信頼性のある分析・解析技術と最新鋭の設備を駆使し、 半導体・液晶・金属・新素材を中核とした幅広いマーケットに最適な ナノレベルの微細加工、分析、解析、信頼性評価、環境安全化学分析、 サービス・ソリューションを提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。