材料の最表面をXPS（X線光電子分光法）によって評価することで、お客様の材料評価を支援いたします。
X線光電子分光法（XPS）は、様々な分野の開発、品質管理において不可欠なツールです。お客様の製品の性能向上、不良原因の究明、そして次世代材料の開発に、XPSをご活用ください。XPSは、試料の極表面（数nm）にX線を照射し、そこから放出される光電子のエネルギーを精密に分析することで、以下の情報を明らかにできます。 (1)構成元素の特定: リチウム（Li）からウラン（U）までの幅広い元素を分析できます。 (2)深さ方向分析: アルゴンスパッタリングを併用することで、表面から深さ方向の元素組成を評価できます。薄膜の膜厚評価や界面分析に有効です。 (3)大気非暴露分析: 特殊な装置を用いることで、大気に曝すことなく試料を分析できます。これにより、大気中の成分による表面汚染や変質の影響を防ぎ、真の表面情報を取得できます。 (4)絶縁物の測定: 幅広い材料の分析が可能です。
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基本情報
フルオート多機能走査型X線高電子分光装置 PHI GENESIS アルバックファイ株式会社製 (1)走査型マイクロフォーカスX線源(単色化 AlKα線) 最小ビーム径 ≦5μm, 最大走査範囲 1400μm×1400μm, 最大出力 100KW,走査X線励起二次電子像の取得が可能 (2)高感度エネルギーアナライザ 最高エネルギー分解能 0.48eV 最高感度 Large area mode ≧6,000,000 cps@1.0eV 20μm ≧400,000 cps@1.0eV 10μm ≧100,000 cps@1.0eV (3)低エネルギー電子銃 加速電圧≦1V ,エミッション電流量 ≧20μA ,デュアルビーム帯電補正 低速電子+低速イオンによる調整不要な帯電中和が可能 中和性能≦0.82eV (感度規定なし) ≦0.85eV ＠ ≧90,000cps
価格帯
納期
用途／実績例
Si基板上に成膜された厚さ100 nmのSiO₂薄膜の深さ方向分析では、XPSを用いることで、膜の厚さだけでなく、SiとOの元素分布、そしてSiO₂としての化学結合状態を明確に評価できます。これにより、成膜プロセスや膜の品質に関する重要な情報が得られます。
企業情報
大同分析リサーチは、あらゆる材料分野で蓄積してきた信頼性の高い分析・解析技術と、広範囲な業界のお客様からいただいた課題をもとに、先進シンクタンクの構築を進めてまいりました。お客様の種々な課題に対し、最少費用と最短納期で問題解決を図ります。今後も最新鋭の設備と高度なマンパワーを駆使してお客様の研究開発を支援し、未来を豊かに彩る製品づくりのお手伝いをさせていただきたいと考えています。
