最表面だけでなく、30nmの深部まで ~表面と材料内部の化学状態を同一箇所・非破壊で定量評価!~
XPS/HAXPESによる新サービスを6月より開始しました! 複雑化する材料や微細構造試料に対し、表面から材料内部(~30nm)までの組成・化学結合状態を、同一箇所・非破壊で評価できます。 ・着目の元素や分析対象領域・深さに応じてX線源(Al Kα/Mg Kα/Ga Kα/Cr Kα)を使い分け、適切な測定条件での評価を実現 ・大気非暴露測定、 Arモノマー/GCIBスパッタエッチング、加熱前処理の併用が可能 ・UPS/LEIPSによる半導体試料の電子状態評価(イオン化ポテンシャル/電子親和力/バンドギャップ)が可能
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基本情報
近年ご要望が増えている、深部の「定量評価」や「微細構造試料の結合状態解析」にお応えできるようになりました。 従来のAl線・Mg線・Ga線に加え、新たにCr線を導入したことで、測定箇所を絞りつつ分析可能深さが最大30nmまで拡大。 これにより、小スポットでも深部領域に対して評価が可能となりました。 また、XPS(表面分析)とHAXPES(深部分析)が位置ズレなく同一箇所で測定できる点も、大きな特長です。
価格帯
納期
用途/実績例
・半導体薄膜の表面及び界面の組成/結合状態評価 ・二次電池材料の表面及びバルクの組成/結合状態評価 ・コアシェル型ナノ粒子の組成/結合状態評価 ・有機膜の組成/結合状態の深さ方向分布評価 ・半導体薄膜のバンドギャップ評価
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MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。