最表面だけでなく、30nmの深部まで ~表面と材料内部の化学状態を同一箇所・非破壊で定量評価!~
XPS/HAXPESによる新サービスを6月より開始しました! 複雑化する材料や微細構造試料に対し、表面から材料内部(~30nm)までの組成・化学結合状態を、同一箇所・非破壊で評価できます。 ・着目の元素や分析対象領域・深さに応じてX線源(Al Kα/Mg Kα/Ga Kα/Cr Kα)を使い分け、適切な測定条件での評価を実現 ・大気非暴露測定、 Arモノマー/GCIBスパッタエッチング、加熱前処理の併用が可能 ・UPS/LEIPSによる半導体試料の電子状態評価(イオン化ポテンシャル/電子親和力/バンドギャップ)が可能
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基本情報
近年ご要望が増えている、深部の「定量評価」や「微細構造試料の結合状態解析」にお応えできるようになりました。 従来のAl線・Mg線・Ga線に加え、新たにCr線を導入したことで、測定箇所を絞りつつ分析可能深さが最大30nmまで拡大。 これにより、小スポットでも深部領域に対して評価が可能となりました。 また、XPS(表面分析)とHAXPES(深部分析)が位置ズレなく同一箇所で測定できる点も、大きな特長です。
価格帯
納期
用途/実績例
・半導体薄膜の表面及び界面の組成/結合状態評価 ・二次電池材料の表面及びバルクの組成/結合状態評価 ・コアシェル型ナノ粒子の組成/結合状態評価 ・有機膜の組成/結合状態の深さ方向分布評価 ・半導体薄膜のバンドギャップ評価
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MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001(品質)およびISO27001(情報セキュリティ)を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。










