NEGF法を用いた第一原理計算によってFe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を評価！
弊団では、MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の 理論計算を行っております。 トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の 磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ (MRAM)などへの応用が進められています。 シミュレーションを用いることで、バイアス印加時の振舞いや界面における歪み、 酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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【製品分野】 ■LSI・メモリ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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【分析目的】 ■構造評価 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001（品質）およびISO27001（情報セキュリティ）を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。
