エッチングプロセスにおける原子レベルでの表面反応の理解に有効
半導体プロセスの微細化に伴い、エッチングガス、ALD成膜におけるプリカーサ、 プラズマ処理などによる表面反応の重要性が増しています。このようなエッチング、 表面結合状態変化、欠陥生成などの複雑な化学反応が関与する系に対して、 原子レベルでの現象の理解には分子動力学計算を用いた解析が有効です。 本資料では、a-SiO2のHFエッチング反応について、分子動力学計算から評価しました。 様々な反応、材料に対して同様のアプローチが適用可能です。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分野：LSI・メモリ、製造装置・部品 分析目的：組成分布評価、膜厚評価、構造評価、応力・歪み評価、その他(化学反応解析)
価格帯
納期
用途／実績例
LSI・メモリ、製造装置・部品の分析です。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください！ MSTは、あなたの「困った！」を解決へと導きます。
