エッチングプロセスにおける原子レベルでの表面反応の理解に有効
半導体プロセスの微細化に伴い、エッチングガス、ALD成膜におけるプリカーサ、 プラズマ処理などによる表面反応の重要性が増しています。このようなエッチング、 表面結合状態変化、欠陥生成などの複雑な化学反応が関与する系に対して、 原子レベルでの現象の理解には分子動力学計算を用いた解析が有効です。 本資料では、a-SiO2のHFエッチング反応について、分子動力学計算から評価しました。 様々な反応、材料に対して同様のアプローチが適用可能です。
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基本情報
測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分野：LSI・メモリ、製造装置・部品 分析目的：組成分布評価、膜厚評価、構造評価、応力・歪み評価、その他(化学反応解析)
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用途／実績例
LSI・メモリ、製造装置・部品の分析です。
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企業情報
MSTは、高度な受託分析サービスを提供する財団法人です。 最先端の「物理的解析」と、AI技術を活用した「高度なデータ解析」を融合させることで、従来の分析の枠を超えた多角的な視点を提供し、お客様の高度なニーズに迅速かつ的確にお応えします。 技術知識を兼ね備えた専門スタッフが、お客様の課題に寄り添い、最適な分析プランをオーダーメイドでご提案いたします。オンラインでの打ち合わせはもちろん、貴社への訪問による対面でのご相談も承っております。 また、ISO9001（品質）およびISO27001（情報セキュリティ）を取得しており、機密性の高いプロジェクトにおいても、確かな技術力と厳格な管理体制のもと、安心してお任せいただける環境を整えています。製品開発の加速から不良原因の究明、特許調査まで、研究開発のあらゆるフェーズにおける課題を、確かな分析技術で解決へと導きます。
