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最終更新日:2026年09月09日

シリコンデバイス株式会社
シリコンデバイス株式会社
  • 公式サイト

~フェムト秒レベルの超低位相ジッタで、高速通信・光通信・データセンターの高品質クロックを実現~

MS1150は、BAW(バルク音響波)共振器技術と高性能デジタル周波数合成技術を組み合わせた、超低位相ジッタのデジタル合成発振器(DSO)です。20 MHz~2,200 MHzの広い周波数範囲に対応し、1 ppb未満の高分解能で工場設定が可能。代表的な出力周波数では、20~22 fs(フェムト秒)の超低RMS位相ジッタを実現します。Adaptive Intelligence機能と自律型DSPアルゴリズムにより、製造ばらつき、電源電圧、温度変化などの影響を抑え、高いクロック安定性を維持します。CML、LVDS、LVPECL、HCSLなど多様な差動出力に対応し、最大10 msの高速起動も特長です。1.8 V電源、-40~+85 ℃の産業用温度範囲に対応し、高速シリアル通信、光通信、データセンター、ネットワーク機器など、高品質なクロック信号が求められる用途に適しています。 ■広い周波数設定範囲 ✓ 20 MHz~2,200 MHzの任意の周波数に工場設定可能 ✓ ppb未満の分解能で周波数設定可能 ✓ 周波数安定度:±20 ppm ■フェムト秒について 1フェムト秒 = 1秒の1,000兆分の1

    専用ICその他半導体
MSD_MS1150_pic_seihinnavi&IPROS.jpg

マルチギガヘルツ・オシレータ・プラットフォーム「MS1150」

MSD_MS1150_pic_seihinnavi&IPROS.jpg
MSD_MS1150_pic_seihinnavi&IPROS.jpg
  • 関連リンク - https://silicondevice.com/prolist.php?compid=144

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基本情報

✓ 工場設定対応 *20 MHz~2,200 MHzの任意の周波数に設定可能 ✓ 周波数範囲:20~2,000 MHz ✓ 差動出力:CML、LVDS、LVPECL、LVDS-EXT、HCSL ✓超低RMS位相ジッタ(積分帯域:12 kHz~20 MHz) *312.50 MHz:22 fs *491.52 MHz:22 fs *625 MHz:20 fs *1,250 MHz:22 fs ✓ 総合周波数安定度:±20 ppm ✓ 出力イネーブル/ディセーブル機能 ✓ 起動時間:10 ms未満 ✓ アクティビティディップ/マイクロジャンプなし ✓ パッケージ:2.5 × 2.0 mmまたは2.0 × 1.6 mm、6ピンLGA ✓ 電源電圧:1.8 V(内部レギュレータ搭載) ✓ 高い電源ノイズ耐性 ✓ 動作温度範囲 *産業用:-40~+85℃ *拡張温度範囲:-40~+105℃ *保存温度範囲:-55~+150℃ ✓ ESD耐量 *HBM:2,000 V *CDM:500 V ✓ 鉛フリー/RoHS対応

価格帯

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用途/実績例

□ 通信・ネットワーク機器 光トランシーバおよび光モジュール ルーター ネットワークスイッチ 光イーサネット機器 10G/40G/100G光イーサネットシステム □ 高速光通信・通信インフラ 100G/200G/400G/800G OTN コヒーレント光通信 112G/224G/448G PAM4クロッキング □ データセンター・コンピューティング機器 ストレージ装置 サーバー NIC(ネットワークインターフェースカード) ハードウェアアクセラレータ 高速データ処理装置 □ 放送・映像機器 3G~24G SDI対応の放送映像機器 高速デジタル映像伝送装置 放送用ルーターおよび映像インフラ機器 □ 計測・評価機器 高周波信号発生器 通信評価装置 クロックジッタ評価装置 高速インターフェース試験装置

企業情報

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米国シリコンバレーに発した半導体産業は発展をとげ、アジア諸国やヨーロッパなど様々な国のメーカーが各々の技術力を高め、4K/H.265テクノロジーに対応した新しい製品の開発に日々取り組んでいます。 当社では各国のセキュリティ向けをはじめとする各種映像関連半導体やボード等優れた製品や技術をご紹介し、お客様製品への応用がスムーズに進められるようメーカーと連携した設計サポートを実施しております。環境保全にも配慮した企業活動を推進し、お客様の更なる発展に貢献できることを目指しています。

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