SiCパワーデバイス受託製造市場規模2026-2032：成長率18.4%で大幅拡大
SiCパワーデバイス受託製造とは SiCパワーデバイス受託製造市場は、電気自動車（EV）、太陽光発電・蓄電システム、充電インフラ、産業用電源などの高効率化を背景に急速に拡大している。2025年の世界市場規模は約6億4,100万米ドル、2032年には20億7,600万米ドルに達し、2026～2032年のCAGRは18.4%と予測される。SiCパワーデバイス受託製造は、外部顧客向けにSiCウェハのプロセス開発、試作、エンジニアリングロット、量産加工まで提供する専門サービスであり、SiC MOSFET、Schottky/JBS/MPSダイオード、JFETなどが主要対象となる。
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SiCパワーデバイス受託製造の世界市場規模 Global Reportsが公開した最新調査レポート「SiCパワーデバイス受託製造の世界市場規模、シェア、企業ランキング、売上、需要動向予測（2026～2032年）」によると、SiCパワーデバイス受託製造の世界市場規模は、2025年の約641百万米ドルから拡大し、2026年には約752百万米ドルに達すると見込まれています。今後も年平均成長率（CAGR）18.4%で成長を続け、2032年には約2076百万米ドルに達すると予測されています。
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SiCパワーデバイス受託製造を支える高温プロセス技術 SiCパワーデバイス受託製造では、SiCエピタキシャル層の欠陥管理、イオン注入、高温アニール、ゲート酸化膜形成、プレーナー／トレンチ構造、オーミックコンタクト、終端構造、金属配線、パッシベーション、ウェハ検査まで、多数の工程を一貫して管理する必要がある。特にSiC MOSFETではゲート酸化膜の信頼性や界面欠陥が電気特性に直結するため、シリコン系ファウンドリよりも材料欠陥、熱処理、歩留まりを厳密に制御することが重要となる。
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