高性能 GaNエピタキシャルウエハを提供！長時間の連続動作でも高い信頼性を確保。
WaveLord社の『GaN HEMT-on-SiCエピタキシャルウエハ』は、RFデバイスに求められる高出力・高周波動作と高い信頼性を支えるエピソリューションです。 優れた結晶性を備え、長時間の連続動作でも高い信頼性を確保します。熱伝導率の高いSiC基板により発生した熱を素早く逃がすことで、高出力動作時でも安定した性能を維持。 これにより、高い電力密度によるトランジスタの小型化や、RF機器全体の軽量化・省スペース化に貢献します。さらに独自の結晶成長技術を備え、デバイス評価において優れたバッファリーク特性や高い熱信頼性を実証。数十GHz帯まで優れた高周波特性を維持できます。 【特長】 ■熱伝導率の高いSiC基板により安定した性能を維持 ■トランジスタの小型化、RF機器全体の軽量化・省スペース化に貢献 ■独自の結晶成長技術により優れたバッファリーク特性と高い熱信頼性を実証 ■ウエハ内での極めて優れた均一性と結晶性を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【製品仕様（一部）】 ■HV650_200mm_GaN HEMT-on-Si ・基板直径：200±0.3 mm ・基板厚さ：1150±25 μm ・バッファ層全体厚さ：5.5 μm ■RF_100mm_GaN HEMT-on-SiC ・基板タイプ：半絶縁型SiC ・基板サイズ：100mm または 150mm ・基板厚み：500.0±25.0 μm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■高効率RF通信、5Gのミリ波帯や衛星通信、レーダーなどの高周波を扱うRF用途 ■5G/6G向けエピタキシャルAlNフィルタ ■超高精細ディスプレイ向けmicroLEDエミッタ(4K & 8K) ■高効率・高信頼性の電子機器向けスイッチデバイス(HEMT & JFET) ■ADAS向けデジタル&スマート照明 ■VCSEL・音響・分子間共鳴デバイス、殺菌/高出力UV LED ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
西進商事（株）は1952年（昭和27年3月10日）創立以来、多彩な製品を国内に紹介してまいりました。 商社としては特に分析標準物質輸入をはじめとした分析分野で貢献をしてきました。 また電子部品業界でも技術商社として活動しておりましたが、近年では商社機能としてだけでなく新規電子装置の設計製造分野に進出し、メーカー分野でも躍進し国内国外に幅広い活躍を行なっています。
