世界電力サイクル試験機業界レポート2026：市場規模240百万米ドルへの成長予測
電力サイクル試験機とは 電力サイクル試験機は、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaNデバイス、ダイオード、パワーモジュールなどを対象とする。負荷電流による自己発熱と冷却を繰り返し、電流、順方向電圧、ケース温度、接合温度、熱抵抗、過渡熱インピーダンスなどを測定する。これにより、ボンディングワイヤの剥離、はんだ層の疲労、ダイ接合部の亀裂、基板の劣化などを検出し、寿命モデルの構築に必要なデータを取得する。
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電力サイクル試験機の世界市場規模 Global Reportsが公開した最新調査レポート「電力サイクル試験機の世界市場規模、シェア、企業ランキング、売上、需要動向予測（2026～2032年）」によると、電力サイクル試験機の世界市場は、2025年の約2億2,000万米ドルから拡大し、2026年には約2億4,000万米ドルに達する見通しである。2026年から2032年まで年平均成長率（CAGR）9.3％で成長し、2032年には約4億900万米ドルに達すると予測される。電力サイクル試験機は、パワー半導体に繰り返し電流を印加して接合温度を変動させ、熱疲労やパッケージ劣化、寿命を評価する信頼性試験装置である。EV、蓄電システム、太陽光発電用インバーターなどでSiC・GaNデバイスの採用が進み、実使用条件を想定した寿命評価の重要性が高まっている。
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用途／実績例
SiC・GaN普及が生む技術課題 需要を支えるのは、800V級EV、高出力充電器、産業用モーター駆動、データセンター電源、再生可能エネルギー向け電力変換装置の拡大である。銀焼結、両面冷却、ワイヤボンドレス接合、AMB基板などの先進パッケージ技術では、従来とは異なる熱応力や故障形態を考慮した評価が欠かせない。SiC・GaNでは高速スイッチングに伴うノイズや高い温度条件も測定上の課題となる。 2026年1月に公開されたパワーサイクル試験に関するレビュー論文では、SiC・GaNなどのワイドバンドギャップ半導体を含め、試験規格、故障メカニズム、寿命モデルの課題が整理された。さらに、2026年の国際会議でもAQG 324に基づく車載パワーモジュール評価とSiC・GaN向け認定手法が議論されている。
企業情報
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