Si異方性エッチング
Si異方性エッチングは、Siの結晶軸方位を利用してハーフ穴及び貫通穴を施す技法です。 例えば、Siウエハー（＃100）型を異方性エッチングした場合、 結晶軸方向の54.7度の角度にて、シャープで高精度なパターン加工が可能です。 詳細はお気軽に「お問い合わせ」ください。
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Si異方性エッチングは、Siの結晶軸方位を利用してハーフ穴及び貫通穴を施す技法です。 例えば、Siウエハー（＃100）型を異方性エッチングした場合、 結晶軸方向の54.7度の角度にて、シャープで高精度なパターン加工が可能です。 詳細はお気軽に「お問い合わせ」ください。
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今後は益々、MEMSに代表されます様に、より高精度、より高緻密化が要求されるこの業界に於いて、研究開発部門は必要不可欠になるはずです。 弊社は、長年の培ったノウハウで試作・開発のお手伝いを致します。 電子・光学分野に限らず、あらゆる産業からのお問合せを期待しています。