軟Ｘ線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100％
OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。
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基本情報
★特長★ ‐ 対応波長感度領域*：0.04nm〜1100nm (エネルギー領域：1.12eV〜30KeV) * モデルによって対応領域が異なりますので、ご注意下さい。 ‐ 100％内部量子効率（Q.E.), 耐放射線性, 高ダイナミックレンジ ‐ 較正可能：米NIST・独PTB・（産業技術総合研究所**） ** 波長によっては対応できません。 ★シリーズ★ ‐AXUVシリーズ：SiO2層6−8nm・100%Q.E. フォトン検出領域（0.04nm〜1100nm） 低エネルギー エレクトロン・イオン ‐UVGシリーズ：SiO2層40−150nm・100％Q.E. フォトン検出領域（130nm〜1100nm） ‐SXUVシリーズ：metal silicide層 高フラックスフォトン及びUV/EUVパルス光源・ 高エネルギー密度>0.1μJ/cm2パルス検出用
価格情報
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納期
用途／実績例
‐Ｘ線プラズマ、X線〜UVレーザー、X線天文学、X線分光 ‐放射光X線ビームライン 同社のIRD Siフォトダイオードは、日本・海外の放射光施設において採用されています。 例：RACE- Ring Accelerator Experiment at awrence Livermore National Laboratory） ‐ スペースミッション EU： SOHO, Coronas-Photon USA： SNOE,SORCE, TIMED, EOS
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企業情報
RAD Device：ラドデバイス株式会社の社名はradiation に関連する key device に由来しています。 物理学における”radiation”は 電磁波，粒子等のエネルギー放出のプロセスを総称し、研究分野は多岐に渡っています。 現在、高エネルギーを伴う、波長の短い軟X線〜UVの領域は、天文観測から、計測・製造（ナノテクノロジー）まで多様な用途に関連した、最先端の技術の牽引領域であり、そこで使用されるデバイス（検出・波長選択等）は重要な役割を担っています。 しかし、現行製品の多くは、性能・操作性・耐環境等、高度な要求に対しまだ課題を残しており、今後の進展が期待される領域と言えます。 RAD Device はkey device・関連する技術情報を見出しradiationに関連した研究・開発の現場にタイムリーにお届けすることを軸に、社会に貢献するためにスタートしました。