FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走査させることにより特定領域を削ったり成膜することが可能です
FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常加工サイズ：～20μm程度） ・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・微細パターン（数μm～数十μm）のデポジション薄膜形成が可能（C・W・Ptの成膜） ・高分解能（加速電圧30kV：4nm）でのSIM（Scanning Ion Microscope）像観察が可能 ・SIM像で金属結晶粒（Al、 Cu等）の観察が可能
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基本情報
■微細イオンビームによる試料加工 Gaイオンを試料表面に照射すると、Gaと共に試料表面を構成している原子や分子が真空中にはじき出されます。このスパッタリング現象を応用したエッチングにより、サブミクロンの精度で平滑な断面を作製したり、穴を開けたりすることができます。 ■原料ガス供給による立体構造形成 原料ガスを試料表面に吹き付けて吸着させ、集束イオンビームを目的の領域に照射すると、照射された部分だけが化学変化を起こし、この領域にデポジション薄膜が形成されます。 ■二次電子検出器による観察 サブミクロンオーダーに絞られた集束イオンビームで試料表面を走査し、このとき表面から放出される二次電子を検出してディスプレイ上に画像としてとらえます。これを走査イオン顕微鏡像（SIM像）といいます。
価格情報
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納期
用途／実績例
・SEM・SEM-STEM・TEM像観察用試料作製（特定箇所の断面出しが可能） ・配線加工（短絡・断線） ・SEM像及びSIM像のSlice&View測定 ・座標を用いたリンケージによる場所特定 ・SIM像観察
詳細情報
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