メモリの製品一覧

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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!

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微細加工などに好適!従来の工具では困難とされた穴のバリ取りと両面取りをワンパスで実現!

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【2021年10月20日(水)~23日(土)】メカトロテックジャパン2021に出展します!

当社は、2021年10月20日(水)~23日(土)の4日間、ポートメッセなごやで 開催される「メカトロテックジャパン2021」に出展いたします。 小径0.8mmからの面取りバリ取りが可能な工具『バーオフツール』や 折損を確実に検出する工具折損検出装置『FEM』をご紹介いたします。 皆様のご来場お待ちしております。(コマ番号:2B12​)

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ウィンボンド、セキュアフラッシュファミリを拡張

台湾, 台中市 - 2024-03-27 - 半導体メモリソリューションのリーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、TrustME(R)セキュアフラッシュW77Qファミリの最新製品である256Mビット、512Mビット、1Gビット品を発表しました。これらは、商用、産業、およびサーバー分野で使用されるIoT エッジ デバイスを保護するための最新機能である、PQC(Post Quantum Cryptography:ポスト量子暗号)を実現できるLMS(Leighton-Micali Signature)アルゴリズムを実装したメモリ製品です。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。

高性能・大容量ストレージオプションで車載ディスプレイアプリケーションに好適!高速読出しかつ高信頼性のSLCNAND

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ウィンボンド、フラッシュメモリ製品に低温はんだ付け(LTS)を採用で 地球温暖化抑制に貢献

台湾台中市発 - 2022年11月16日 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、同社のフラッシュメモリ製品において、表面実装(SMT/ Surface Mount Technology)の温度を鉛フリープロセスの220~260℃から最高190℃に下げる低温はんだ付け(LTS/ Low Temperature Soldering)プロセスをサポートすることを発表しました。この新しいプロセスにより、ウィンボンドはSMT生産ラインにおけるCO2排出量の大幅削減とともに、SMTプロセスの簡素化・短縮・コスト削減に貢献します。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。

「自動車メーカーが問うべきこと」など詳しく解説!※ゼロトラスト、メモリと通信チャネルを保護するセキュアフラッシュメモリ

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ウィンボンド、セキュアフラッシュファミリを拡張

台湾, 台中市 - 2024-03-27 - 半導体メモリソリューションのリーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、TrustME(R)セキュアフラッシュW77Qファミリの最新製品である256Mビット、512Mビット、1Gビット品を発表しました。これらは、商用、産業、およびサーバー分野で使用されるIoT エッジ デバイスを保護するための最新機能である、PQC(Post Quantum Cryptography:ポスト量子暗号)を実現できるLMS(Leighton-Micali Signature)アルゴリズムを実装したメモリ製品です。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。

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人とくるまのテクノロジー展 NAGOYA

ウィンボンド・エレクトロニクスは、ポートメッセなごやで開催される 『人とくるまのテクノロジー展2022 NAGOYA』に 販売店のチップワンストップ社ブース内で出展します。 下記3製品を中心にご紹介予定です。 (1)「高性能QspiNANDフラッシュ」 NORフラッシュのスケーリング問題を解決!車載ディスプレイアプリケーションに好適なフラッシュメモリ (2)「OctalNANDフラッシュ」 最大読出し速度は240MB/s!車載や産業、民生機器用アプリケーション向けに、堅牢で信頼性の高いコードストレージフラッシュメモリ (3)「HYPERRAM」 HYPERBUSインターフェスを使用したpSRAM。 PCBレイアウト設計を大幅に簡素化!省スペース・低消費電力で小型機器に好適! 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 【概要】 ■会期:2022年6月29日(水)~7月1日(金)  10:00~18:00(最終日は17:00まで) ■会場:ポートメッセなごや ■小間番号:61 ■参加費:事前登録で無料

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JEDEC xSPIに準拠したオクタル DDR インターフェースを搭載!8ビットIOにより最大400MB/秒の帯域幅を実現!

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AEC-Q100 認定のフラッシュメモリ/高信頼性・高性能ソリューションの長期安定供給を実現

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オンセミのシリアルSRAMメモリ製品をお探しなら当社まで!

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オンセミのシリアル・フラッシュメモリ製品をご提供いたします!

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PLLベースのゼロディレイバッファについてご紹介いたします!

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位相同期回路(PLL)による製品をお探しならお任せください!

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スペクトラム拡散技術を使用しピークEMI放出を低減いたします!

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高精度、低ジッタのクロック信号を生成する製品をご提案します!

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位相同期回路(PLL)ベースの製品についてご紹介いたします!

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ECL、PECL、CMLなどとインタフェースする製品をご紹介!

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クロック・スキュー・マネージメント用の製品をご紹介いたします!

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差動(ECL)パラレル-シリアルなどの製品をご提案いたします!

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差動(ECL)マルチプレクサなどの製品を多数取り扱っております!

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AND、NAND、ORなどの差動(ECL)製品をご紹介します!

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差動(ECL)Dフリップフロップなどの製品をご提案いたします!

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差動(ECL)ファンアウト・バッファなどの製品をご紹介します!

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バイナリカウンタやクロック分周器などの製品をご紹介いたします!

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GS7シリーズ - 低消費電力・高速の非同期SRAM

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GSI Technology ラド・ハードSRAM

SigmaQuad-II+、SyncBurst、NBT SRAMのラド・ハード版をリリース! GSI社のラド・ハード SRAMは、最先端のFPGA、ADC、DACを活用した高度なシステムの重要な要素として期待されています。 初期リリース品より、航空宇宙および防衛顧客の厳しい要件を満たすために、クラス-Qおよびクラス-Vレベルの認定があります。 現在のラド・ハード メモリソリューションの代替を待望されている衛星および防衛顧客にとって、GSI社のラド・ハードSRAMは、当社の実績のある商用テクノロジとアーキテクチャを放射線強化で活用し、40nmテクノロジノードで効率的で高性能な最先端のメモリを提供します。

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シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

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TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

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着目の成膜パラメータ(温度、圧力)にて多分子競合吸着性の評価が可能です

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半導体メモリー Samsung SK hynix Micron 在庫あります。お気軽に問い合わせください。

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信頼のHynix・Micron・Samsungメモリ、取り扱い中

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