更新日： 集計期間:2026年01月07日～2026年02月03日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2026年01月07日～2026年02月03日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2026年01月07日～2026年02月03日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
31～60 件を表示 ／ 全 155 件
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ～12インチ、多品種のシリコンウエーハを豊富な在庫で取り揃えており、小ロット、短納期、安定供給が可能です！
半導体向けシリコン素材の専門商社、トリニティーでは 多品種の『ダミーウェハ―』を取り扱っております。 お客様のご要望に合わせた加工もご対応させて頂いております。 詳細スペック、数量、その他品目についてもお気軽にご相談下さい。 【特長】 ■2インチ～12インチ ■P/N型 ■ベア品／膜品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小ロット、短納期、安定供給が可能です！ 半導体向けのシリコンウェハーを各種、多数取り揃えております。
株式会社トリニティーではお客様のニーズに合わせ、各種半導体向けの シリコンウェーハをご提案させて頂きます。 前工程向け「モニターウェーハ」や、後工程向け「ダミーウェーハ」等をラインアップ。 それ以外にも各種膜付きウェーハ、高抵抗値ウェーハ、低抵抗値ウェーハ等各種仕様のウェーハをご提供可能でございます。 ウェーハの詳細スペック、数量、その他仕様についてもお気軽にお問合せ・ご相談下さい。 【特長】 ・2"、3"、4"、5"、6"、8"、12"各サイズにてお取扱いしております。 ・膜付、高/低抵抗値、P/N型等豊富な仕様の在庫を取り揃えております。 ※詳細につきましては、カタログをダウンロードして頂くかお問い合わせフォームよりご連絡下さいませ。
SCHOTT RealView(R)はAR(拡張現実)向けに開発された高屈折率のガラスウエハーです
SCHOTT RealView(R) は、拡張現実（Augmented Reality）向けに開発されたガラスウエハーです。拡張現実技術は、仕事中や休暇中、そしてコミュニケーションの仕方まで、私たちの日常生活を変えることが期待されています。 ショットは材料メーカーとして、高い視野角と画質を可能にするRealView(R)を提案します。
耐熱性や防汚性に優れたもの等、お客様のご用途に合わせた製品をご提案！
関西特殊光学株式会社は、屋外やその他、過酷な環境で使用される、 ドームレンズの生産も行っております。 耐熱性や防汚性に優れたもの等、お客様のご用途に合わせた製品を ご提案いたします。 また、各種オプティカルデバイスとして使用されるレンズ、その他 各種光学部品を取り扱っております。 お客様の用途に合わせ当社での生産はもとより、国内外からの調達も 可能です。ぜひお問い合わせください。 【特長】 ■耐熱性や防汚性に優れたもの等、お客様のご用途に合わせた製品をご提案 ■大量生産はもとより、メーカー様の開発設計試作にもスピーディに対応 ■さまざまなニーズにお応え ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フタル酸エステル類の分析の際に分析前の汚染を気にすることなく使用できます！
『フタレートフリー石英ウール』は、オートショット・サンプラーを使用する際、 試料カップ回収時における固体試料の飛散を防ぐことができます。 7種類のフタル酸エステル類（DIBP, DBP, BBP, DEHP, DNOP, DINP, DIDP）の 含有濃度検査証付きで、フタル酸エステル類の分析をする際、分析前の汚染を 気にすることなくご使用頂けます。 【特長】 ■ウルトラクリーンの石英ウールのため、そのまますぐに使用可能 ■7種類のフタル酸エステル類の含有濃度検査証付き ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
都市型水害の緩和・下水道の負担軽減に有効な都市にやさしい製品
『エコ環境基盤』は、ヒートアイランド現象に対する温度抑制を はじめとする様々な都市環境問題を軽減する製品です。 高い断熱性・耐熱性をそなえ、真夏でも被表面温度が42℃～43℃ までしか上がりません。 また、保水性・透水性に優れており、都市型水害の緩和、下水道の 負担軽減に有効です。 火砕流堆積物の粒径を緑化用に調整した「エコ環境基盤（緑化）」や、 南九州一円に分布する火砕流堆積物の特性である軽量多孔性の 機能と、コンクリート平板ブロックと同程度の強度を合わせ持った 「エコ環境基盤（舗装）」などをラインアップしています。 【特長】 ■高い断熱性・耐熱性 ■真夏でも被表面温度が42℃～43℃までしか上がらない ■保水性・透水性に優れる ■都市型水害の緩和、下水道の負担軽減に有効 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
試作対応 少量対応 4～12inch対応 任意膜種 支給基板対応
セーレンKST株式会社では、自社で加工する酸化膜加工以外にも、協力会社などを通じて半導体製造プロセスに関わる研究開発用途の 各種成膜加工や各種膜付ウェハーをご提供しております。 ＜対応サイズ＞ 4inch~12inch ※あらゆる加工に対応いたしますが、ウェハーサイズによっては加工対応の可否がございますので、詳しくはお問い合わせください。
JEITA・SEMI規格品 TTV・パーティクルのハイグレード品 その他任意の仕様対応 国内外メーカー品の取り扱い 少量対応
シリコンウェーハ、石英ウェーハ、化合物ウェーハ、ガラス基板など、お客様のニーズにお応えできるようＫＳＴのネットワークが世界中に張り巡らされています。 もちろんカスタムメイドの対応も可能です。 当社は、お客様のご使用用途に合わせて最もコストパフォーマンスの高い製品を提案するとともに、自社クリーンルーム内での品質評価のもと、ご提供しておりますので、お客様にはご安心してお使いいただいております。
様々なニーズに合わせ、適したセンサーをご提案します！
当社では、『熱電対・測温抵抗体・ウエハーT/C』を取り扱っております。 適正な熱処理により熱電対の状態を損うことなく曲げることができる 「シース熱電対」をはじめ、RESICERAMR素子とMIケーブルを接続し、 一体構造とした「シース測温抵抗体」をラインアップ。 その他にも、特注品の対応も可能な「ウエハーT/C」もご用意しております。 【シース熱電対 特長】 ■反応速度が速い ■優れた曲げ特性と耐衝撃性 ■耐食、耐圧性に優れる ■広い測温範囲 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
少数ロットでのご案内も可能ですので、ぜひご相談ください！
当社では、多種多様なニーズにマッチする『シリコンウエハー』を 供給いたします。 低抵抗品、高平坦度品等の「ベアウエハー」をはじめ、「石英製品」や 「SiCウエハー」などをラインアップ。 「ウエハー加工」も少数枚からニーズに合わせて承ります。 また、デバイスメーカー/装置メーカー様向けのご提案も行っております。 【ウエハー加工】 ■再生受託加工 ■成膜受託加工 ■ザグリ受託加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能
当社は、テストウエハの半導体技術でお客様の技術開発を支援しております。 テストウエハのサービスは、ベアSiウエハ、膜付ウエハ、パターンウエハ等を提供し、 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能、 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
深堀エッチング技術で高アスペクトトレンチパターンウェハを実現
当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
20年以上の実績と専門性で、お客様の技術革新を全面サポート
当社は先進の半導体技術を背景に、テストウェハのソリューションを提供し、お客様の装置・材料・プロセスの評価・開発を総合的にサポートしております。 提供範囲は、ベアウェハから始まり、ブランケット膜付きウェハ、パターンウェハ、CMP評価ウェハ、プラズマチャージモニタウエハ、TSV評価ウェハ、電気特性評価ウェハ、MEMS混載ウェハまで、多岐にわたります。 私たちの強みは、半導体開発のエキスパートチームの深い専門知識と20年にわたる経験です。これらはお客様との信頼関係の中で蓄積された技術・ノウハウと相まって、お客様の多様なニーズに迅速かつ確実にお応えすることを可能にしています。 さらに、世界各地に広がる半導体製造ネットワークを駆使して、最適なソリューションを提案いたします。 技術的なご相談や製品のご要望がございましたら、お気軽にご連絡ください。私たちは常にお客様の成功の一翼を担うパートナーとして、最高のサポートを提供いたします。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップによるダメージ評価が可能
当社は先進の半導体技術を背景に、テストウェハのソリューションを提供し、お客様の装置・材料・プロセスの評価・開発を総合的にサポートしております。 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能となります。 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶成長からウェハーまでHEXATECH社自社で製造！結晶欠陥の少ない高品質なウェハーを安定供給
HEXATECH社は、米国ノースカロライナ州にある窒化アルミニウム （AlN）ウェハーの開発・製造会社です。 高品質なブール（インゴット）を成長させる製造技術・レシピ技術に 強みを持っております。 大口径化・α値（紫外線吸収係数）の低減ロードマップに沿って、 市場ニーズに合ったウェハーを開発・製造しております。 【特長】 ■世界最高級品質の単結晶AlNブール(インゴット)を 生み出す独自の結晶成長プロセス ■非常に少ない欠陥 ■III族窒化物半導体において画期的な性能を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新鋭の測定技術と実績ある加工技術で高度な要望に応える半導体製品をご提供！
当社では、高耐熱、高純度、パーティクル対策などの要求にこたえる CVD工程や酸化・拡散工程に不可欠なチューブ、ボート等の サーマルプロセス用製品を取り扱っております。 大型化要求に対しては、φ1000mmを超えるチューブやフランジ等の 大口径石英ガラス部材を実現。 新鋭の測定技術と実績ある加工技術で高度な要望に対応します。 【製品例】 ■チューブ ■フランジ ■大型フランジ（不透明） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCウェハーを1枚から低コストで提供！納期は最短2週間から。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで提供できます。
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production ４H-SiC ８インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ N型 Production ４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC ６インチ N型 P-MOS ４H-SiC ６インチ N型 P-SBD ４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光通信用バタフライパッケージや低速＆低コスト型HTCCパッケージなどをご紹介！
当社では「オプトエレクトロニクス部品」の製造販売を行っております。 好適なワイヤー濡れ性を確保したプレーティング加工の「光通信用Min-DiL, Min-Flat＆Min-Pin;パッケージ・低速＆低コスト型HTCCパッケージ」や AuSn共晶パッドの「Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック」などをラインアップ。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ＜Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック＞ ■CuW/ヒートシンク ■Al2O3,ALN,SiC基板 ■高信頼性薄膜技術 ■AuSn共晶パッド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短納期・低価格！ザグリ加工・穴あけ・溝加工等対応可能。オーダーメイドにもお応えいたします
当社では「ガラス基板」の製造販売を行っております。 おもにディスプレイ用基板・超薄板ガラス基板・基板用電子材料などの 用途があり、基板として使用されるガラスは厚さが非常に薄く、高い耐久性も 求められるため、製造には高度な技術が必要。 エムシーオーでは、短納期で低コスト、品質の高い製品を生み出し、お客様の オーダーメードにもお応えいたします。 【ガラス基板の種類】 ■ソーダライムガラス ■無アルカリガラス ■ホウケイ酸ガラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体・電子デバイス製造向け！IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料
当社では「ゲルマニウム基板」の製造販売を行っております。 IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料。 半導体・電子デバイス製造向けに、結晶成長時ドープ加工を施した N型・P型ゲルマニウム基板(平面研磨ウエハー・直径1,2,3インチ/ 面方位100,110,又は111)をご用意。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【取扱製品】 ■N型・P型ゲルマニウム基板 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ロチェスターエレクトロニクスのウェハ処理および保管能力 /製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスは35年にわたり、自動車、産業、医療、航空宇宙および軍事など、ライフサイクルの長い製品サポートが不可欠な産業において、供給を継続的に確保してきました。 マサチューセッツ州ニューベリーポートにある米国拠点にて、半導体ウェアの保管および製造サービスを総合的に提供しています。 ロチェスターの次世代ウェハ保管能力は下記の通りです： ・ISO-8認証取得 ・窒素管理環境 ・相対湿度管理 ・温度・湿度のリアルタイムでのモニタリング、アラート、トレンド表示 ・安全な部屋と個別キャビネット ・マイクロプロセッサ制御のステンレス製のドライボックス ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
研究・開発用、装置テスト・評価用ウェーハ、シリコン（結晶）の加工、販売。
研究用窓材、X線干渉計、光学系などに使用する結晶加工、厚み３５μm～5ｍｍ、ウェハー、長方形板など、 国内外研究機関、大学研究室に取引実績がございます。 ダイシング、溝加工、石英板、ウェハーなどお気軽にご相談ください。
十分に競争できるコスト！広い範囲で光工学表面弾性波フィルターなどの分野などをカバー可能
アイスモス・テクノロジーは薄膜のSOIウエハーを<1um以下の デバイスレイヤーにて供給いたします。 20年以上のSOI製造の経験により、アイスモスはRFアプリケーションに 使われる厚膜SOIと同様の高い品質の製品をご提供可能。 シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で、アイスモスの薄膜SOI ウエハーは光工学表面弾性波フィルターなどの分野などをカバーできます。 【特長】 ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシリコン層 ■エピ層をなくす ■寄生キャパシターを最小化 ■P＋隔離をなくす ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤
アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが 埋め込まれている ■ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、 パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレード ■ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体製作にご提案：ICやMEMS応用、従来の厚エピや反転エピなどからの材料代替に、費用対効果が高い材料として提供いたします。
【SOIウエハー】：（Silicon-On-Insulator） 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長： ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波 フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を 進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品質を提供 ■十分に競争できるコストと柔軟な対応 【SiliconーSilicon貼合わせ】：リークが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い欠陥密度！費用対効果が高い材料としてご提供します。 直接ウエハーをボンディングする技術を使うと、様々な単結晶シリコンを 含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジ：1mΩ-cmから10kΩ-cm 特長： ■N、P型素材、オリエンテーション方向のアレンジ可能 ■リーク小、高品質、ワープ小、低い欠陥密度 ■層の厚みのばらつき＜+/-0.5um ■高濃度から低濃度の遷移レベルを鋭くまたはソフトなど調整が可能
日本、韓国、中国の大手半導体メーカーに納入実績あり。ハイレベルの異物管理をしてご提供しております。
＊入庫検査→DECAP→DECAP後検査→両面研磨→Edge研磨→CMP→ナノ洗浄工程→平坦度測定→異物測定→検査／梱包まで、全てメーカー自社内の設備で高い品質管理の元、実施しております。 ＊100枚以下のトライアルであれば、商品代は無償にてご対応させていただきます。（※郵送代は別途ご相談） ＊再生加工リードタイムは約1ヶ月です。 当社無機ファイン部HPもご覧ください。
中国初の8inch SiCウエハ を開発した実力派のSiCウエハです！
Shanxi Semisic Crystal社は2009年に設立されたSiCバルクウエハの専業メーカーです。 N型、SI(半絶縁)型ともに4～8inchのサイズでウエハを日本でも供給しているほか、インゴット、パウダー状態での販売も可能です。 特に8inchウエハは中国で初めて開発に成功するなど、技術力にも優れた企業であり、価格と品質の両面から日本のお客様に評価いただいています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
