リニアアレイフォトダイオード(Linear Array PD)
4・8・12・16のエレメントがリニアアレイとして配置
■ファイバリボンに合わせて250umピッチのデザイン ■80umの有効径でハイスピード・低暗電流対応 ■光アイソレーション50dB ■O・S・C・Lバンドに対応
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ダイオード×株式会社オプトロンサイエンス - 企業1社の製品一覧
製品一覧
16～28 件を表示 ／ 全 28 件
表示件数
InGaAs電子冷却式フォトダイオード
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル／デュアルステージTEクーラ ■有効径：0.3mm～5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流／低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長：1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
近赤外広帯域 InGaAsフォトダイオード
Extended InGaAs PD
■有口径：0.3mm～3mm ■カットオフ波長：1.9μm、2.05μm、2.2μm、2.6μm ■高シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
高速 InGaAsフォトダイオード
High Speed InGaAs PD
■小口径：60μm～300μm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ：ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ゲルマニウムアバランシェフォトダイオード(Ge APD)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社
■小口径：40μm ■波長感度域：800nm～1800nm ■リニア及びガイガーモード動作 ■高感度 ■高信頼性ファイバピグテール(シングル／マルチモード) ■電子冷却可能 ■各種パッケージ：TO-46、サブマウント
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
紫外発光ダイオード (UV-LED)
◆ 紫外LED (UV-LED) ◆ 308nm 325nm 340nm ◆ 皮膚治療・樹脂硬化・センシング
【ベアチップ（ベアチップ単体、サブマウント付ともに供給可能）Bare Chip】 卓越した技術によって製造された高品質ベアチップです。チップサイズは3種類、オプションでサブマウント付仕様も選択可能です。 ・小型（500μm×500μm）ベアチップ、中型（750μm×780μm）ベアチップ、大型（1000μm×1000μm）ベアチップ ※サブマウントを付けた状態での供給も可能ですのでお問い合わせ下さい。 【TO メタルキャン (TOパッケージ) To Metal Can】 ・金属キャンによる堅牢な高信頼（ハーメチック）仕様です。口径はφ5mmとφ9mmがあり、配光角も6°～145°(全角)からお選びいただけます。 【気密SMD】 3.5mm×3.5mmの業界標準サイズのSMDパッケージに、10mWクラスの中型チップあるいは大型ハイパワーチップを搭載した製品です。 ・ミドルパワーSMD（中型：750μm×750μmチップ搭載）、ハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm
■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
シリコンアバランシェフォトダイオード
◆高速レスポンス◆高バンド幅◆低ノイズ◆低バイヤス電圧◆ハーメチックTO-パッケージ◆優れた感度・高い応答デバイス
◆シリコンアバランシェフォトダイオード ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能 シリコンアバランシェフォトダイオードは、インパクトイオン化利得を達成するために、内部の乗算を使用します。その結果、優れた感度を発揮する、高い応答デバイスの最適化されたシリーズです。 OSI社は、光ファイバアプリケーション用の平らなWindowsまたはボールレンズで使用可能な検出器のいくつかのサイズを提供しています。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Siポジションセンサーフォトダイオード
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
InGaAs大口径フォトダイオード
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクター
アクティブエリアサイズが1mm 1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Si高速フォトダイオード
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
