紫外発光ダイオード (UV-LED)

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DOWAエレクトロニクス

最終更新日：2023年05月24日

公式サイト

◆ 紫外LED (UV-LED) ◆ 308nm, 325nm, 340nm ◆ 皮膚治療・樹脂硬化・センシング

【ベアチップ（ベアチップ単体、サブマウント付ともに供給可能）Bare Chip】卓越した技術によって製造された高品質ベアチップです。チップサイズは3種類、オプションでサブマウント付仕様も選択可能です。・小型（500μm×500μm）ベアチップ、中型（750μm×780μm）ベアチップ、大型（1000μm×1000μm）ベアチップ ※サブマウントを付けた状態での供給も可能ですのでお問い合わせ下さい。【TO メタルキャン (TOパッケージ)　To Metal Can】・金属キャンによる堅牢な高信頼（ハーメチック）仕様です。口径はφ5mmとφ9mmがあり、配光角も6°～145°(全角)からお選びいただけます。【気密SMD】 3.5mm×3.5mmの業界標準サイズのSMDパッケージに、10mWクラスの中型チップあるいは大型ハイパワーチップを搭載した製品です。・ミドルパワーSMD（中型：750μm×750μmチップ搭載）、ハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）

関連リンク - https://www.opt-ron.com/?s=&search_type=1&cat01=&c…

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基本情報

【気密SMD（35°レンズ付き）】特殊レンズにより従来の配光角(120°)を35°まで絞り、対従来比約10倍の高放射照度を実現しました。・35°レンズ付きハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）【気密SMD（65°レンズ付き）】特殊レンズにより従来の配光角(120°)を65°まで絞り、対従来比約6倍の高放射照度を実現しました。・5°レンズ付きハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）【モジュール】波長 300nm 308nm 325nm 340nm 《DOWAエレクトロニクス》は、明治17（1884）年に鉱山製錬会社としてスタートした同和鉱業より平成18年10月に分社し、電子材料事業に特化する会社として設立されました。高性能な深紫外LEDに不可欠な高品質AINテンプレートの技術をベースに、革新的なエピタキシャル成長と卓越した加工技術の融合にベアチップまでの全ての工程を一貫で行う事により、深紫外波長領域において比類ない高性能・高信頼性を実現しています。

価格帯

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用途／実績例

●皮膚治療白斑、乾癬向けの紫外線治療は経口薬との併用によるＰUVA療法向けUV-Aや310nmのUV-Bナローバンドランプ光源が一般的でしたが、最近になって光源のLED化が進んでいます。LEDは光源を小型化できるため、必要は部位のみに紫外光を照射できるLEDはターゲット型治療器に最適です。UV-Bナローバンドランプの代替は311nm、エキシマランプの代替は308nmの要求が多く、DoUVLEDsは311nm・ 308nmの両方に対応可能です。 ●樹脂硬化紫外光源は光開始剤に作用し、樹脂の主剤であるモノマー、オリゴマーの硬化を促します。紫外線硬化は熱を使用しないため、光学部品の接着など熱履歴を与えたくない用途に最適です。また、溶媒を使用しないため有害なガスの発生もありません。 ●センシング物質固有の紫外線の吸収特性を利用した透過型センサーや、紫外線照射により発生した励起光のを測定する蛍光・燐光分析装置など、さまざまな物質の検出やセンシングに利用されています。

詳細情報

【ベアチップ（ベアチップ単体、サブマウント付ともに供給可能）】 ■小型（500μm×500μm）ベアチップピーク波長 λp（nm） IF=20mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=20mA： 3.5 3.0 3.0 IF=50mA： 9.0 7.5 7.5 標準スペック電極 Au Pad ・　AuSn Pad　：弊社HP参照 ■中型（750μm×780μm）ベアチップピーク波長 λp（nm） IF=100mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=100mA： 15 15 15 標準スペック電極 Au Pad ・AuSn Pad　：弊社HP参照 ■大型（1000μm×1000μm）ベアチップピーク波長 λp（nm） IF=350mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=350mA： 50 45 45 IF=600mA： 75 70 75 標準スペック電極 Au Pad ・AuSn Pad　：弊社HP参照
【TO メタルキャン (TOパッケージ)】ピーク波長： 310nm, 325nm, 340nm（波長共通）製品名・半値角（° ）・レンズ形状・TOタイプ・TO直径（mm）・標準スペック xFxVL-1H321・6・半球・TO46S・φ5 xFxVL-1H331・6・半球・TO5・φ9 xFxVL-1H211・24・半球・TO18・φ5 xFxVL-1H411・40・半球・TO18・φ5 xFxVL-1F111・113・フラット・TO18・φ5 xFxVL-1F131・114・フラット・TO5・φ9
【気密SMD】 ■ミドルパワーSMD（中型：750μm×750μmチップ搭載）ピーク波長 λp（nm） IF=100mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=100mA： 12 12 12 ■ハイパワーSMD（大型：1000μm×1000μmチップ搭載）ピーク波長 λp（nm） IF=350mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=350mA： 40 37 37 　　　　　　　　IF=600mA： 60 57 57
【気密SMD（35°レンズ付き）】ピーク波長 λp（nm） IF=350mA： 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=350mA： 35 32 32 　　　　　　　　　IF=600mA： 53 49 53
【気密SMD（65°レンズ付き）】ピーク波長 λp（nm）： IF=350mA 308 325 340 光出力 Po（mW） IF=350mA： 39 35 35 　　　　　　　　　IF=600mA： 58 54 58
【モジュール】波長：300nm 308nm 325nm 340nm