半導体製造プロセスの高速化・省エネ化に貢献する赤外線・加熱技術
【展示会出展】非接触で短時間・高精度の加熱を実現。独自のランプ設計と高いコントロール性で、幅広い加熱工程の課題を解決します。
赤外線放射による非接触加熱で、短時間・高精度な加熱を実現するハロゲンランプヒータです。 優れた昇温・降温性能と、ランプ形状・フィラメント設計による加熱分布の最適化により、半導体製造装置をはじめとする幅広い加熱工程に対応します。 軽量・小型で装置への組み込みが容易であり、面内温度±5℃の精密加熱や、アルミニウムを約10秒で300℃まで昇温する高速加熱にも対応します。 【特長】 ■ 投入電力の65%以上が赤外線に変換され放射される高効率な熱源 ■ スイッチのON/OFFとほぼ同時に応答する優れた昇温・降温性能 ■ レンズやミラーを用いた光学的制御による高いコントロール性 ■ ランプ形状やフィラメント設計を変えることで自在な配熱パターンに対応 ■ 非接触加熱のため対象物を汚染せず、大気中から真空中まで様々な環境に設置可能 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
- 企業：ウシオ電機株式会社
- 価格：応相談
