管状炉CVD装置
長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
- 企業:株式会社マイクロフェーズ
- 価格:500万円 ~ 1000万円
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長尺粉体CNTの生成、基板への垂直配向CNTの成長、粉体試料表面へのカーボン成膜をこの一台で実現できます。
オプションで、アンモニアガスや、その他のCVDガスの導入ユニット、CVD反応用の固体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド層状物質の成膜も可能です。
粉体の連続熱/CVD処理、連続CNT合成などに
反応管の傾斜と回転機構により、粉末試料の連続フィード/回収機構を有する連続CVD処理装置です。 粉末試料表面へのカーボコート、熱処理、CVD処理、ドープ処理などの大量生産が可能。 大面積の配向CNT基板や、多収量の粉末タイプCNTの大量生成に適します。