更新日： 集計期間:2025年12月10日～2026年01月06日
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高性能で高い堅牢性と信頼性！小型インバーター設計が可能です
当社が取り扱っている『シングルスイッチIGBTモジュール 6500V/1000A』 についてご紹介いたします。 GBT4トレンチフィールドストップ技術を使用した製品となっており、 HVDC-VSC、トラクション、産業用アプリケーションに好適なソリューション。 また、標準パッケージ、低電力損失で小型インバーター設計が可能という 利点があります。 【主な特長】 ■低 V(CEsat) ■AlSiCベースプレート ■最小ストレージ温度：−55℃ ■CTI ＞ 600のパッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低耐圧から高耐圧まで豊富なMOSFET製品をラインナップ
APEC (Advanced Power Electronics Corp.)社は台湾のファブレスの半導体メーカーです。 1998年に設立され台湾におけるMOSFET・IGBTの専業メーカの先駆けとして成長してきました。 MOSFETは幅広い製品、パッケージを取り揃え、分野別の最適ソリューションを提供します。 OA機器、通信、産業、家電、パソコン、ディスプレイ等の多くの分野で採用されています。
幅広く分野に対応可能！ MOSFET・IGBTに特化した一貫生産体制サプライヤーのご紹介
当社では、産業機器・クリーンエネルギー分野・車載機器から 白物家電まで、幅広く対応可能な『MOSFET』を取り扱っております。 様々な製品ラインアップをそろえており、一貫生産体制により 安定供給を実現。 またフォーキャストのご提示で短納期での対応が可能。 「バイポーラトランジスタ」、「IGBT」、「ダイオード」なども ご用意しております。 【ラインアップ例】 ■MOSFET ■バイポーラトランジスタ ■IGBT ■ダイオード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お客様ニーズに応じた技術サポートを実施するパワー半導体専業メーカーで日系企業も多数採用
パワーデバイスの供給面や相当品調査でお困りではありませんでしょうか? Potens(ポテンツ)はパワーMOSFETをはじめとしたパワー半導体の専業メーカーです。 台湾に本社を置くファブレスのメーカーになりますが、 日本人スタッフが多数在籍しておりますので日本語による対応が可能で、 日系企業での実績も豊富です。 他社からの置き換えをお考えの方・低オン抵抗品をお探しの方・パッケージラインナップが豊富なメーカーを お探しの方がおられましたらお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ・豊富なパッケージ品種と12Vから1、500Vまでの幅広い耐圧製品 ・産業や車載など幅広い用途に対応 ・IGBTはHalf Bridge品をご用意 ・SiC SBDは量産開始 ・生産情報の透明化によりお客様が安心して発注できる体制を構築 ※詳しくはカタログをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Xinerは、2013年に設立されました。
Xinerは、2013年に設立され、我々は深セン正源科技、深セン国有資産監督管理委員会、深セン人材革新基金、大陳ベンチャーキャピタル、方光資本、厦門ファルコンと他の有名な機関から共同出資を受けています。IGBTチップ、IGBTドライバチップ、ハイパワーインテリジェントパワーモジュールの開発、応用、販売に力を注いでいます。Xiner に経験豊富で、実用的なチームがあります。主要な人員は10年以上の業界経験を蓄積しており、中国で初めてFST技術に基づくIGBT製品の量産に成功しました。Xinerは上海と深圳に研究開発センターを持ち、深圳、上海、青島、順徳、杭州に営業所を設立して、お客様のニーズに迅速に対応しています。 ザイナーは、アプリケーション指向、研究開発、オープンな協力というビジネス哲学を堅持しています。お客様のアプリケーション要件を深く探求し、IGBT関連製品の研究開発と設計に注力し、業界のベストパートナーと協力して、お客様に最も安定的でコスト効率の高いパワーデバイスを提供しています。
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
