MBE関連製品 MBE装置
基板サイズ1”~6”、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族対応等お客様の使用環境・使用目的に最適な製品をご提供しています。
分子線セル、RHEED、BFM、基板加熱機構等の主要部品からチャンバー、シュラウド、プロセスコントローラ、シャッターコントローラ等の制御ユニットまで、一貫して自社にて製造致します。
- 企業:アリオス株式会社
- 価格:応相談
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基板サイズ1”~6”、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族対応等お客様の使用環境・使用目的に最適な製品をご提供しています。
分子線セル、RHEED、BFM、基板加熱機構等の主要部品からチャンバー、シュラウド、プロセスコントローラ、シャッターコントローラ等の制御ユニットまで、一貫して自社にて製造致します。
スキャニングRHEEDを標準装備!モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着
『MC-LMBE』は、操作性の高いコンパクトな超高真空レーザーMBE(PLD) システムです。 1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニットを搭載。 モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着しています。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換できます。 【特長】 ■操作性が高くコンパクト ■到達真空度:6.7×10^-7Pa(5×10^-9Torr)以下 ■モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着 ■1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニット ■6種類のターゲットが使用可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易!6種類のターゲットが使用できます
『PAC-LMBE』は、拡張性の高い超高真空レーザーMBE(PLD)システムです。 基板加熱ユニットとして、赤外線ランプ加熱と半導体レーザー加熱の いずれかを選択可能。6種類のターゲットが使用できます。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換いただけます。 【特長】 ■拡張性が高い ■到達真空度:6.7×10^-7Pa(5×10^-9Torr)以下 ■6種類のターゲットが使用可 ■ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を簡単交換 ■オプションポート:各種コンポーネント取付可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。