更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
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アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバランシェ耐量試験について解説
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ アバランシェ試験で測定するアバランシェ耐量とは、パワーデバイスに 耐電圧以上の電圧を印加していくと急激に電流が流れはじめ破壊に至って しまうのですが、どのくらいのエネルギーまで耐えられるかということを指します。 当レポートでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵！EU RoHS 指令対応のMOSFET
『XP23/XP26 シリーズ』は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を 実現した汎用NチャネルMOSFETです。 リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能。 静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。 パッケージは、小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm）を採用し、 機器の小型化に貢献します。 【特長】 ■ゲート保護ダイオード内蔵 ■低オン抵抗 ■高速スイッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
DC-DCコンバータ設計での電源設計時の着眼点や、パワーMOSFETのアバランシェ試験などを掲載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.10.2～2020.10.30までのWTIブログを まとめています。 2020.10.2の「パーシャルパワーダウン時に重要なIoff機能」をはじめ、 2020.10.7の「DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点」や、 2020.10.30の「パワーMOSFET のアバランシェ試験とは」などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2020.10.2 パーシャルパワーダウン時に重要なIoff 機能 ■2020.10.6 基板設計の手順と入社2年目エンジニアの醍醐味！ ■2020.10.7 DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点 その2 ■2020.10.8 スイッチング電源回路方式の特長 ■2020.10.9 IoT 機器のOTA 導入が意外と進まない理由とは ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！
Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動作においても優れた動作性能を発揮します。 【特長】 ○カタログ標準品だけでな くお客様のアプリケーションに最適化した カスタムモジュールの提案を行う ○カスタムモジュール開発においては、チップ、回路形態、パッケージ形態、 放熱素材、で多様な選択肢を用意 ○お客様の要望に最適なモジュールの設計提案～量産供給を行う 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能
『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401CAの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43400CBの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます
『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60～220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
よりコンパクトに、より簡単に設計可能！アクティブブリッジ整流に好適
『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を 特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、 電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立された FABレス、パワー半導体メーカーです。
■新製品開発 ⇒新世代半導体製品を展開 ■品質 ⇒徹底した品質サポート ■技術サポート ⇒各設計段階のニーズに応じた技術をご提供 ■納期 ⇒ご相談ください。 製品はモバイル機器、5G通信設備、自動運転向けデバイス、ワイヤレス充電設備、 クラウドサーバ用途、産業設備、 自動車向けに広く採用されています。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。 技術サポートの特色として、20年以上の半導体開発経験を持つ半導体開発チームと電源メーカで設計技術を蓄積してきた メンバーで構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決して まいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。
高インダクタンスリレー駆動に最適！ツェナー内蔵MOSFETがさらに進化
バリスタを内蔵した高インダクタンスのリレー駆動に対応するため、ツェナー内蔵型MOSFETのツェナーダイオード部の面積と耐圧を大幅に強化。これにより、過渡的な高電圧にも耐える優れた破壊耐量を実現しました。信頼性が求められる高負荷アプリケーションに、より安心してご使用いただけます。
